1.はじめに
2.電子回路設計業務の流れ
3.素子モデル
3.1 線形素子
(1)抵抗
(2)容量
(3)誘導
3.2 非線形素子
3.2.1 ダイオードの素子モデル
(1)DC特性のモデル
(2)ダイオードの飽和電流
(3)PN接合の容量
3.2.2 MOS FET
(1)MOS容量とシリコンの表面状態
(2)イオン注入チャネルドーピングと
スレッショルド電圧
(3)MOS FETのDC特性
4.CMOS回路のレイアウトと寄生容量
(1)基準面積当りの各寄生容量
(2)CMOS2段インバータ回路の寄生容量
5.直流解析と過渡解析
5.1 直流解析
5.2 過渡解析